Styrd selektiv oxidation av vcsel
文献类型：专利
| 作者 | KLAUS STREUBEL; ANITA RISBERG |
| 发表日期 | 2001-01-25 |
| 专利号 | SE0002735L |
| 著作权人 | ZARLINK SEMICONDUCTOR AB |
| 国家 | 瑞典 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Styrd selektiv oxidation av vcsel |
| 英文摘要 | A method for controlling the oxidation of a layer 190 extending in a transverse plane in a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) 10, involves selectively implanting ions into transversely spaced regions 190a of the layer to change the concentration of the oxidisable material. Subsequently the layer is oxidised and the degree of oxidation of the layer varies in a transverse direction between the implanted regions and non-implanted regions of the layer. The layer may be AlAs or AlGaAs, in which case the implanted ions may be Ga ions. Alternatively the implanted ions may be oxygen. |
| 公开日期 | 2001-01-25 |
| 申请日期 | 2000-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66845]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ZARLINK SEMICONDUCTOR AB |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KLAUS STREUBEL,ANITA RISBERG. Styrd selektiv oxidation av vcsel. SE0002735L. 2001-01-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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