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多脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的制备方法及装置

文献类型:专利

作者张奕; 云恩学; 邓威; 赵劼成; 顾思洪
发表日期2010-02-24
专利号CN101656537A
著作权人中科泰菲斯(武汉)技术有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名多脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的制备方法及装置
英文摘要本发明公开了一种多脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的制备方法及装置,其步骤是:A.将直流电流和微波耦合进激光管;B.扫描直流得到多个多普勒吸收峰,将直流电流固定在最大峰对应电流;C.同步控制微波源扫描、2FSK调制,并控制光通断;D.采集信号,数字解调。其装置是:精密电流源、微波源分别与Bias-Tee相连,Bias-Tee、温控A分别与VCSEL相连,光路中依次有光衰减片、AOM、87Rb原子蒸汽泡、光电池。AOM与AOM驱动相连。87Rb原子蒸汽泡外面是C场线圈和磁屏蔽,温控B与87Rb原子蒸汽泡相连,光电池、PC分别与电流电压转换电路相连,FPGA分别与微波源、AOM驱动、PC、晶振相连。该条纹比一般的双脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的谱线宽度更窄,对比度更高,可应用于制造高性能的原子频标。
公开日期2010-02-24
申请日期2009-07-21
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66867]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中科泰菲斯(武汉)技术有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
张奕,云恩学,邓威,等. 多脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的制备方法及装置. CN101656537A. 2010-02-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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