半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管
文献类型：专利
| 作者 | 小野健一; 元田隆 |
| 发表日期 | 1997-07-02 |
| 专利号 | CN1153411A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管 |
| 英文摘要 | 一种半导体器件，包含：具有表面的半导体衬底(1)；由交互叠合在一起的多个第一半导体层(4a)和第二半导体层(4b)构成的应变超晶格结构，第一半导体层(4a)在相对于半导体衬底(1)为压缩或伸张的方向上有第一应变，第二半导体层(4b)有和第一应变方向相同但大小不同的第二应变。因此使第一半导体层(4a)和第二半导体层(4b)之间的应变差减小，由此应变超晶格结构的结晶质量得到改进。 |
| 公开日期 | 1997-07-02 |
| 申请日期 | 1996-08-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66918]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野健一,元田隆. 半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管. CN1153411A. 1997-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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