用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件
文献类型：专利
| 作者 | 滨口达史; 高木慎平 |
| 发表日期 | 2014-07-30 |
| 专利号 | CN103959579A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件 |
| 英文摘要 | 根据用于制造半导体激光器元件(100)的这个方法，切割导向槽(104)形成在生产基板(110)的表面上，其中，在具有半极性平面(1a)的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板(1)上形成包括发光层(14)的外延层(2)。沿着位于共振器端面侧(102，103)的半导体激光器器件(100)的划线(BL1)延伸并且具有V型横截面的切割导向槽(104)形成在位于划线(BL1)上并且包括半导体激光器器件(100)的至少一个拐角的局部区域中。沿着划线(BL1)切割具有形成在其上的切割导向槽(104)的生产基板(110)。 |
| 公开日期 | 2014-07-30 |
| 申请日期 | 2012-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66937]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 滨口达史,高木慎平. 用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件. CN103959579A. 2014-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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