一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置及方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘军 ; 欧阳晓平; 黑东炜; 张忠兵; 谭新建; 陈亮; 翁秀峰
|
| 发表日期 | 2016-08-17 |
| 专利号 | CN105866822A |
| 著作权人 | 西北核技术研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置及方法 |
| 英文摘要 | 本发明属于脉冲辐射探测领域，具体涉及一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置及探测方法。该探测装置包括辐射探测器和激光功率测量记录设备；辐射探测器通过光纤或者激光聚焦传输器件与激光功率测量记录设备实现光路连通；辐射探测器包括半导体激光器和为半导体激光器提供预偏置电流的外接电源，外接电源所提供的电流大于或者等于半导体激光器的阈值电流。本发明利用X射线对半导体激光器有源区载流子直接调制，实现对半导体激光器输出功率的扰动，通过测量输出激光信号的变化最终获得X射线脉冲信息，基于该方法的探测系统具有结构简单、成本低廉、超快时间响应以及以激光为信号特征等优点。 |
| 公开日期 | 2016-08-17 |
| 申请日期 | 2016-04-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66938]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西北核技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘军,欧阳晓平,黑东炜,等. 一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置及方法. CN105866822A. 2016-08-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。