一种偏振稳定的垂直腔面发射激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 崔国新; 黄寓洋; 殷志珍; 张宇翔; 冯成义; 张耀辉 |
| 发表日期 | 2011-08-31 |
| 专利号 | CN102170092A |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种偏振稳定的垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种偏振稳定的垂直腔面发射激光器及其制作方法。这种偏振稳定的垂直腔面发射激光器(1)，包括出射面(10)及开设在出射面(10)上的出射孔(11)，还包括在出射孔(11)处设有非晶硅光栅(3)。其中非晶硅光栅(3)是一种亚波长光栅。在非晶硅光栅(3)与出射孔(11)表面之间还包括有基底层(2)，基底层可为沉积生长的二氧化硅层。添加这种亚波长的非晶硅光栅(3)后可稳定偏振光的输出，实现较高偏振比的光输出，同时出射光偏振分量的强度也可以随着注入电流的增加而单调增加。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 申请日期 | 2011-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66952]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔国新,黄寓洋,殷志珍,等. 一种偏振稳定的垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN102170092A. 2011-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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