具有减小小面退化结构的Ⅱ－Ⅵ族激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | M·A·哈泽; P·F·鲍德 |
| 发表日期 | 2001-01-03 |
| 专利号 | CN1278961A |
| 著作权人 | 美国3M公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有减小小面退化结构的Ⅱ－Ⅵ族激光二极管 |
| 英文摘要 | 一种具有半导体块体的Ⅱ－Ⅵ族半导体激光二极管,包括形成pn结的多个半导体层、位于半导体块体一端的一个小面和参考电极。激光二极管进一步包括位于与小面相邻处的减小小面退化的电极。减小小面退化的电极与正向偏置电极电隔离。采用减小小面退化的电极来建立足以减小小面退化的电场。在一个实施例中,这一电场是通过在小面电极与参考电极之间施加一反偏电压建立的。在另一个实施例中,这一电场是通过将小面电极电连接至参考电极而建立的。 |
| 公开日期 | 2001-01-03 |
| 申请日期 | 1998-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66958]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 美国3M公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | M·A·哈泽,P·F·鲍德. 具有减小小面退化结构的Ⅱ－Ⅵ族激光二极管. CN1278961A. 2001-01-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。