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低相干半导体激光器及其制备方法

文献类型:专利

作者罗宁一; 何克祥; 范辉; 季朝华; 刘理; 何骏
发表日期2011-12-28
专利号CN102299477A
著作权人维林光电(苏州)有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名低相干半导体激光器及其制备方法
英文摘要本发明揭示了一种基于PIC技术的低相干半导体激光器及其制备方法,激光器模块由半导体激光器,驱动回路,射频(RF)驱动电流,及自动功率控制系统组成。其制备方法包括以下步骤:以射频范围的频率产生交替变化的驱动电流输入到半导体激光器;将一部分激光束导入具有响应时间超过100ns的光探测器,光探测器隔离大量杂散光及其他光反馈噪声;通过光探测器接收的激光束产生实时响应的电子信号,向DC和AC电流提供电子反馈信号,调整驱动电流偏压。本发明能产生性能很好的低相干半导体激光器。
公开日期2011-12-28
申请日期2011-07-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67016]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位维林光电(苏州)有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
罗宁一,何克祥,范辉,等. 低相干半导体激光器及其制备方法. CN102299477A. 2011-12-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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