半导体激光器的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 冯美鑫; 张书明; 王辉; 刘建平; 曾畅; 李增成; 王怀兵; 杨辉 |
| 发表日期 | 2011-12-28 |
| 专利号 | CN102299480A |
| 著作权人 | 苏州纳睿光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器技术，尤其是一种半导体激光器的制作方法。其步骤包括：在激光器外延片表面刻蚀出脊型区(2)；通过光刻技术，在激光器的前后腔面附近注入离子；然后在500～1200℃、保护气氛下进行快速退火；接着在激光器的脊型区(2)上方蒸镀P型接触电极(5)；减薄激光器的衬底后蒸镀上N型接触电极(8)；经过解理后得到激光器bar条；在激光器bar条前腔面和后腔面分别蒸镀或沉积增透膜(6)和高反膜(7)；最后把激光器bar条进行分割或解理，完成单个激光器的制作。本发明方法可以有效减少腔面处的光吸收，减少腔面处的光功率密度，有效增加激光器的最大输出功率。 |
| 公开日期 | 2011-12-28 |
| 申请日期 | 2011-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67024]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州纳睿光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯美鑫,张书明,王辉,等. 半导体激光器的制作方法. CN102299480A. 2011-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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