一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 张作望; 吴少凡 |
| 发表日期 | 2013-05-15 |
| 专利号 | CN103103610A |
| 著作权人 | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法，原理是在Nd:YLF晶体中掺入GdF3，其化学式为：Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1，Gd与Y是性质相近的稀土元素，Gd离子半径比Y离子半径大4%，刚好介于Nd3+与Y3+之间，大离子半径Gd3+的掺入部分替代Y3+进入晶格，减小了晶体的内部张力，同时减小Y3+附近刃型位错应变能，从而可以抑制位错的迁移和重排，从而降低位错的密度，即抑制小角晶界的形成，可以有效改善Nd:YLF晶体的光学均匀性，获得高光学质量，物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体，其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%，该激光晶体采用提拉法进行生长，工艺简单，能够实现大规模低成本的批量生产。 |
| 公开日期 | 2013-05-15 |
| 申请日期 | 2012-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67039]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张作望,吴少凡. 一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法. CN103103610A. 2013-05-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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