一类氟硅酸盐晶体及其制备方法和用途
文献类型：专利
| 作者 | 龚兴红; 林炎富; 黄艺东; 陈雨金; 罗遵度; 谭奇光 |
| 发表日期 | 2006-01-11 |
| 专利号 | CN1718872A |
| 著作权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一类氟硅酸盐晶体及其制备方法和用途 |
| 英文摘要 | 一类氟硅酸盐晶体及其制备方法和用途，涉及功能晶体材料领域。其中M为碱土金属或二价过渡金属元素中某一元素或若干元素的组合，R为稀土或三价过渡金属元素中某一元素或若干元素的组合。该类晶体通过适量掺杂某种过渡族或稀土元素作为激活离子替代晶体中的R3+离子便成为激光晶体，特别适合应用于半导体激光泵浦的固体激光器，有利于输出可调谐和超短脉冲激光。 |
| 公开日期 | 2006-01-11 |
| 申请日期 | 2004-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67042]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 龚兴红,林炎富,黄艺东,等. 一类氟硅酸盐晶体及其制备方法和用途. CN1718872A. 2006-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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