制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 荒木正浩; 山田英司; 汤浅贵之; 津田有三; 阿久津仲男 |
| 发表日期 | 2006-04-12 |
| 专利号 | CN1758419A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的装置，其通过在衬底上扩散包含III族元素的源气体和V族元素的源气体来结晶生长氮化物半导体。与衬底平行和从上游到下游来扩散气体。装置具有容纳在装置中的衬底以及用于允许气体流到流动通道中的流动通道。装置也有在流动通道的内壁上提供的多个突起。在气流的上游部分并且以水平方向提供一种用于使III族元素的源气体和V族元素的源气体分别引入到流动通道中的隔离物。在隔离物的上表面和下表面上形成突起。利用该结构，在供应源气体之前，使III族元素的源气体和V族元素的源气体更均匀地混合。 |
| 公开日期 | 2006-04-12 |
| 申请日期 | 2005-09-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67055]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒木正浩,山田英司,汤浅贵之,等. 制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件. CN1758419A. 2006-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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