半导体激光器及其控制方法、光学器件以及激光器装置
文献类型:专利
| 作者 | 藤井卓也 |
| 发表日期 | 2007-02-14 |
| 专利号 | CN1913261A |
| 著作权人 | 优迪那半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其控制方法、光学器件以及激光器装置 |
| 英文摘要 | 半导体激光器及其控制方法、光学器件以及激光器装置。半导体激光器具有第一衍射光栅区。该第一衍射光栅区具有多个段。每个段都具有包括衍射光栅的第一区,和耦合至第一区的作为间隔区的第二区。多个第二区中的至少两个的光程相互不同。每个段的折射率是可变的。 |
| 公开日期 | 2007-02-14 |
| 申请日期 | 2006-08-11 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67067] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 优迪那半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井卓也. 半导体激光器及其控制方法、光学器件以及激光器装置. CN1913261A. 2007-02-14. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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