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半导体激光器及其控制方法、光学器件以及激光器装置

文献类型:专利

作者藤井卓也
发表日期2007-02-14
专利号CN1913261A
著作权人优迪那半导体有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器及其控制方法、光学器件以及激光器装置
英文摘要半导体激光器及其控制方法、光学器件以及激光器装置。半导体激光器具有第一衍射光栅区。该第一衍射光栅区具有多个段。每个段都具有包括衍射光栅的第一区,和耦合至第一区的作为间隔区的第二区。多个第二区中的至少两个的光程相互不同。每个段的折射率是可变的。
公开日期2007-02-14
申请日期2006-08-11
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67067]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位优迪那半导体有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
藤井卓也. 半导体激光器及其控制方法、光学器件以及激光器装置. CN1913261A. 2007-02-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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