一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 赵英杰; 刘学东; 万灵敏; 张建家; 侯立峰; 晏长岭; 冯源; 郝永芹; 李占国; 李特 |
| 发表日期 | 2012-12-19 |
| 专利号 | CN102832537A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器及其制作方法，属于半导体激光器制造技术领域。相关的现有技术采用p型与n型电极均为内腔接触式的，但其电极只在p侧引入，以减少双侧DBR电阻。该技术存在的主要问题是，p型与n型电极开在同一侧，其电极不可能制备成封闭环形，由于是半环型，电流的分配不对称，注入载流子诱发光子形成的光场分布不均匀。本发明提出的激光器结构， p型与n型电极在器件两侧，形成双内腔接触式结构，使注入电流绕过p型DBR和n型DBR直接进入有源区；同时n侧采用框架支撑结构及其制作方法，解决了形成n型电极窗口的刻蚀过程中，器件结构连接强度不足所造成的有源区崩落问题。 |
| 公开日期 | 2012-12-19 |
| 申请日期 | 2012-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67075]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵英杰,刘学东,万灵敏,等. 一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器. CN102832537A. 2012-12-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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