半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置
文献类型:专利
作者 | 别所靖之; 言水孝二; 清水源; 三桥大树; 太田洁 |
发表日期 | 2011-01-26 |
专利号 | CN101958508A |
著作权人 | 三洋电机株式会社 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置 |
英文摘要 | 本发明的半导体激光器件具有:具有主面的支承部件;经第一接合层接合在主面上的第一半导体激光元件;经第二接合层与第一半导体激光元件相邻地接合在主面上的第二半导体激光元件。另外,第二接合层的熔点低于第一接合层的熔点,从主面到第二半导体激光元件的第四表面的第一高度大于从主面到第一半导体激光元件的第二表面的第二高度。 |
公开日期 | 2011-01-26 |
申请日期 | 2010-07-08 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67080] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三洋电机株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 别所靖之,言水孝二,清水源,等. 半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置. CN101958508A. 2011-01-26. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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