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半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置

文献类型:专利

作者别所靖之; 言水孝二; 清水源; 三桥大树; 太田洁
发表日期2011-01-26
专利号CN101958508A
著作权人三洋电机株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置
英文摘要本发明的半导体激光器件具有:具有主面的支承部件;经第一接合层接合在主面上的第一半导体激光元件;经第二接合层与第一半导体激光元件相邻地接合在主面上的第二半导体激光元件。另外,第二接合层的熔点低于第一接合层的熔点,从主面到第二半导体激光元件的第四表面的第一高度大于从主面到第一半导体激光元件的第二表面的第二高度。
公开日期2011-01-26
申请日期2010-07-08
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67080]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
别所靖之,言水孝二,清水源,等. 半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置. CN101958508A. 2011-01-26.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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