Laser à semiconducteur.
文献类型：专利
| 作者 | FURUYA, AKIRA; ANAYAMA, CHIKASHI; KONDO, NAKOTO |
| 发表日期 | 1995-03-03 |
| 专利号 | FR2709383A1 |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 法国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Laser à semiconducteur. |
| 英文摘要 | Un laser à semiconducteur comporte un substrat en semiconducteur composé (1), une première couche de confinement de lumière, ou couche de gaine, (2) disposée sur le substrat, une couche active (3) disposée sur la première couche de confinement et ayant reçu une contrainte, et une deuxième couche de confinement (4) disposée sur la couche active. Les première et deuxième couches de confinement sont toutes deux faites d'un matériau choisi dans le groupe comprenant AlGaInP et AlInP, et la couche active est faite d'un matériau choisi dans le groupe comprenant GaInAsP et AlGaInAsP. |
| 公开日期 | 1995-03-03 |
| 申请日期 | 1994-07-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67083]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FURUYA, AKIRA,ANAYAMA, CHIKASHI,KONDO, NAKOTO. Laser à semiconducteur.. FR2709383A1. 1995-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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