半導体モードロックレーザ
文献类型：专利
| 作者 | 井戸 立身; 佐野 博久; 青木 雅博 |
| 发表日期 | 1995-07-28 |
| 专利号 | JP1995193329A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体モードロックレーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 単峰性で幅が短くトランスフォームリミットに近い良質な光短パルスを発生できる半導体モードロックレーザを高歩留まりで得る。 【構成】 利得領域Iと光導波路領域IIとの間の結合部は、光導波路構造が滑らかに連続して変化する遷移領域Mを介して連結する。この利得領域I、遷移領域M、および光導波路領域IIは、基板7上に絶縁体マスク(不図示)を所定の開口幅に設定して領域選択成長を順次行うことにより、一括成長して形成する。これにより両領域I,II間に、不連続を起こす活性層のエッチングおよびクラッッド層の再成長が無く、滑らかな遷移領域Tと領域I,IIが同時に形成される。 |
| 公开日期 | 1995-07-28 |
| 申请日期 | 1993-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67088]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井戸 立身,佐野 博久,青木 雅博. 半導体モードロックレーザ. JP1995193329A. 1995-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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