周期的ヘテロエピタキシャル半導体構造を含む製品の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | ヤング-カイ チェン; ミンウェイ ホン; ジョセフ ペトラス マンナーツ; ミン-チァン ウー |
| 发表日期 | 1994-01-28 |
| 专利号 | JP1994020949A |
| 著作权人 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 周期的ヘテロエピタキシャル半導体構造を含む製品の作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 周期的ヘテロエピタキシャル半導体構造を含む製品の新しい作製方法を提供する。 【構成】 方法はMBE、CVD又は同様の成長技術による周期的構造に係り、基板温度を変えることを含む。たとえば、周期的多層GaAs/AlGaAsは600℃ないし700℃の間で基板温度を変え、MBEにより成長させる。新しい方法は一様に高品質の材料の多層構造を生成させることができる。 |
| 公开日期 | 1994-01-28 |
| 申请日期 | 1993-04-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67101]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ヤング-カイ チェン,ミンウェイ ホン,ジョセフ ペトラス マンナーツ,等. 周期的ヘテロエピタキシャル半導体構造を含む製品の作製方法. JP1994020949A. 1994-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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