半導体光デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 日向 進 |
| 发表日期 | 1993-09-03 |
| 专利号 | JP1993226782A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光デバイス |
| 英文摘要 | 【目的】 pn接合部で発生する熱の放散をよくした状態で、ダイボンド時の半田盛上り部とチップ周囲に露出しているpn接合とが接触しないようにした半導体光デバイスを得る。 【構成】 チップ周囲に露出しているpn接合の位置をチップの中央部のpn接合の位置よりもヒートシンクのダイボンド面に対して上方に離して形成し、半田盛上り部9とチップ周囲に露出しているpn接合が接触しないようにしたことを特徴としている。 |
| 公开日期 | 1993-09-03 |
| 申请日期 | 1992-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67105]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 日向 進. 半導体光デバイス. JP1993226782A. 1993-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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