半導体レーザ素子及び製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 亮; 山田 篤志; 杉浦 勝己; 石橋 明彦 |
| 发表日期 | 2008-12-25 |
| 专利号 | JP2008311547A |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及び製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子の共振面を形成する劈開精度を飛躍的に改善し、半導体レーザ素子の特性の歩留を向上させる。 【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、基板の上に、発光部を含む活性層と、該活性層に形成されたストライプ状の導波路204と、活性層に電流を供給する電極と、電極と電気的に接続された第1の上部電極206と、導波路204における互いに対向する一対の共振面とを有する。第1の上部電極206は、共振面近傍領域207において、導波路204を軸として平面対称に形成され、且つ、導波路204に対して垂直な方向の幅が共振面に接近するにつれて縮小する。また、各共振面は、活性層及び基板のうちの少なくとも活性層に形成された劈開ガイド溝203に沿って劈開されている。 【選択図】図8 |
| 公开日期 | 2008-12-25 |
| 申请日期 | 2007-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67110]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 亮,山田 篤志,杉浦 勝己,等. 半導体レーザ素子及び製造方法. JP2008311547A. 2008-12-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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