量子細線構造の形成方法および半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 西田 彰男; 佐和田 明美; 中川 清和; 木村 嘉伸 |
| 发表日期 | 1997-02-14 |
| 专利号 | JP1997045617A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子細線構造の形成方法および半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】半導体結晶内に。リソグラフィー技術を用いることなく、一度の結晶成長で量子細線を形成する方法を提供する。 【構成】面方位(110)のSi基板10上に、分子線エピタキシャル装置を用いSiバッファ層11を成長した後に、基板温度800℃にてSi1-xGex混晶を結晶成長し、方位に沿ったSi1-xGex量子細線を形成する。 【効果】本発明によって、リソグラフィー技術の限界以下の線幅を有するSi1-xGex量子細線の形成が可能になる。 |
| 公开日期 | 1997-02-14 |
| 申请日期 | 1995-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67111]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西田 彰男,佐和田 明美,中川 清和,等. 量子細線構造の形成方法および半導体装置. JP1997045617A. 1997-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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