窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 小崎 徳也; 中村 修二 |
| 发表日期 | 1997-05-02 |
| 专利号 | JP1997116232A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 基板上に窒化物半導体がLDの構造となるように積層されたウェーハから、窒化物半導体の共振器の作製方法を提供して、レーザ発振可能なレーザ素子を実現する。 【構成】 スピネル基板上に窒化物半導体を積層した後、その基板を切断して、その切断面を共振器とすることにより、共振器面の凹凸が少なく、窒化物半導体層の割れ、欠けの少ないレーザ素子を得る。 |
| 公开日期 | 1997-05-02 |
| 申请日期 | 1995-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67116]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小崎 徳也,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法. JP1997116232A. 1997-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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