半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 左文字 克哉; 山田 篤志; 石田 昌宏 |
| 发表日期 | 2009-04-16 |
| 专利号 | JP2009081373A |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】性能の低下を伴うことなく動作電圧を低くすることができる。 【解決手段】リッジ型の半導体発光素子は活性層104の上にクラッド層106と電極111とを順に有し、クラッド層106は上面にリッジ106aを有している。第1誘電体膜108がクラッド層106の上面のうちリッジ106aが形成されていない部分とリッジ106aの側面とを覆い、第2誘電体膜110が第1誘電体膜108の上面における周縁部分を覆う。第2誘電体膜110のエッチングレートは、第1誘電体膜108のエッチングレートよりも速い。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-04-16 |
| 申请日期 | 2007-09-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67119]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 左文字 克哉,山田 篤志,石田 昌宏. 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法. JP2009081373A. 2009-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。