表面放出型半導体レーザの製造方法と、その方法で得られるレーザ
文献类型：专利
| 作者 | ジェローム フェスト; フランツ-カルル ラインハルト |
| 发表日期 | 1994-02-04 |
| 专利号 | JP1994029612A |
| 著作权人 | トムソン-セーエスエフ |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 表面放出型半導体レーザの製造方法と、その方法で得られるレーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 エピタキシ成長工程と不純物ドーピング工程と拡散工程とを含む多量子井戸を有する表面放出型レーザダイオード、特にレーザダイオードのアレーの製造方法。 【構成】 最終レーザの寿命を短くする従来の化学エッチング工程を無くして、活性領域の周囲に不純物を注入する前に、活性領域をマスクを付けてレーザの横方向寸法を決める。ブラッグ鏡および活性領域層(量子井戸/中間層または超格子)の厚さは、レーザの閾値電流およびエネルギー効率を最適化するように、各量子井戸の利得を最適化し、ブラッグ鏡の損失を最小にするように選択する。 【効果】 活性領域でのレーザ光線の伝搬軸線方向での光の閉じ込め特性と伝搬軸線に直角な方向でのキャリアの閉じ込め特性とを個別に最適化できる。 |
| 公开日期 | 1994-02-04 |
| 申请日期 | 1991-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67123]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | トムソン-セーエスエフ |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジェローム フェスト,フランツ-カルル ラインハルト. 表面放出型半導体レーザの製造方法と、その方法で得られるレーザ. JP1994029612A. 1994-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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