リッジ導波路型半導体光機能素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田 光志; 中村 幸治 |
| 发表日期 | 1999-07-30 |
| 专利号 | JP1999202275A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ導波路型半導体光機能素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ導波路型半導体光機能素子の製造上、歩留まりの向上を図る技術を提供する。 【解決手段】 半導体基板11上に第1のクラッド層12、コア層13、第2のクラッド層14、コンタクト層15からなる積層構造体16を形成する。この積層構造体16にエッチングマスク18を用いた選択エッチング処理を施し、リッジ部17を形成する。このリッジ部17の両側でコア層13の露出する面上に、モード制御層19aを構成するための半導体層19を所定の厚さ寸法に改めて結晶成長させる。 |
| 公开日期 | 1999-07-30 |
| 申请日期 | 1998-01-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67128]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 光志,中村 幸治. リッジ導波路型半導体光機能素子およびその製造方法. JP1999202275A. 1999-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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