フォトニック結晶面発光レーザおよびフォトニック結晶面発光レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松原 秀樹; 齊藤 裕久; 吉本 晋; 野田 進 |
| 发表日期 | 2010-05-20 |
| 专利号 | JP2010114384A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | フォトニック結晶面発光レーザおよびフォトニック結晶面発光レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】信頼性を向上できるフォトニック結晶面発光レーザおよびフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】フォトニック結晶面発光レーザ10aは、III-V族化合物半導体基板と、n型クラッド層12と、発光層15と、p型クラッド層16と、フォトニック結晶層13とを備えている。III-V族化合物半導体基板は、極性面または半極性面である主面11aと裏面11bとを含み、V族元素としてPまたはAsを含んでいる。n型クラッド層12は、III-V族化合物半導体基板の主面11a上に形成される。発光層15は、p型クラッド層12上に形成される。p型クラッド層16は、発光層15上に形成される。フォトニック結晶層13は、n型クラッド層12とp型クラッド層16との間、n型クラッド層12中、またはp型クラッド層16中のいずれかに形成される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-05-20 |
| 申请日期 | 2008-11-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67143]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 秀樹,齊藤 裕久,吉本 晋,等. フォトニック結晶面発光レーザおよびフォトニック結晶面発光レーザの製造方法. JP2010114384A. 2010-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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