半導体光導波路とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪田 康隆 |
| 发表日期 | 1996-10-18 |
| 专利号 | JP1996271743A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光導波路とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】低反射端面を実現するための窓構造を持つ半導体光導波路において、MOVPE選択成長の手法により、導波路方向でクラッド層の成長速度を制御することにより、クラッド層に段差が生じない構造を実現し、それにより、制御性、再現性に優れる低反射端面構造を提供する。 【構成】n-InP基板101上[011]方向に、一対のSiO2 ストライプマスクを間隔5μmで形成し、この5μmの領域へMOVPE選択成長により、活性層104を含む多層構造を形成する。この時、窓構造の領域ではSiO2 ストライプマスク間隔をゼロとすることで、半導体のエッチングを行うことなく窓構造を作製する。また、窓領域マスク幅をそれ以外の領域より、大きくしておくことで、次のクラッド層106の選択成長後、窓領域でクラッド層の段差が発生することを防止する。 |
| 公开日期 | 1996-10-18 |
| 申请日期 | 1995-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67147]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪田 康隆. 半導体光導波路とその製造方法. JP1996271743A. 1996-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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