化合物半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 藤本 英俊; 西尾 譲司 |
| 发表日期 | 1997-04-04 |
| 专利号 | JP1997092881A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は信頼性の高い窒化物化合物半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】窒化物化合物半導体装置(100)の成長用基板(101)として導電性を有するアルミニウム酸化物を用いる。この基板に導電性を持たせるための一つの方法として不純物を添加する。 【効果】基板に導電性があるため、積層構造における表面に現われていない内部層への電気的接触を取るためのエッチング処理などを必要としない。そのため、エピタキシャル層を加工することによる損傷を与えることなしに、素子を形成することができる。 |
| 公开日期 | 1997-04-04 |
| 申请日期 | 1995-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67148]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本 英俊,西尾 譲司. 化合物半導体装置. JP1997092881A. 1997-04-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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