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非ドープ·クラッディング層及びマルチ量子ウェルを有するIII族窒化物LED

文献类型:专利

作者エドモンド,ジョン·アダム; ドーヴァースパイク,キャスリーン·マリー; コン,フア-シュアン; バーグマン,マイケル·ジョン; エマーソン,デーヴィッド·トッド
发表日期2005-09-22
专利号JP2005528809A
著作权人クリー インコーポレイテッド
国家日本
文献子类发明申请
其他题名非ドープ·クラッディング層及びマルチ量子ウェルを有するIII族窒化物LED
英文摘要【解決手段】本発明は、AlxInyGa1-x-yNの第1n型クラッディング層であって、0≦x≦1、0≦yxInyGa1-x-yNの第2n型クラッディング層であって、0≦xxGa1-xNウェル層を有し、0xInyGa1-x-yNバリア層によって分離されており、0≦x≦1及び0≦y≦1であるマルチ量子ウェルの形態のアクティブ部と、III族窒化物のp型層であって、第2n型クラッディング層がこのP型層とマルチ量子ウェルとの間に位置する、p型層とを含み、第1及び第2n型クラッディング層のそれぞれのバンドギャップは、各々、ウェル層のバンドギャップよりも大きい。好適な実施形態では、III族窒化物超格子がマルチ量子ウェルを支持する。
公开日期2005-09-22
申请日期2003-05-20
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67160]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位クリー インコーポレイテッド
推荐引用方式
GB/T 7714
エドモンド,ジョン·アダム,ドーヴァースパイク,キャスリーン·マリー,コン,フア-シュアン,等. 非ドープ·クラッディング層及びマルチ量子ウェルを有するIII族窒化物LED. JP2005528809A. 2005-09-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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