非ドープ·クラッディング層及びマルチ量子ウェルを有するIII族窒化物LED
文献类型:专利
作者 | エドモンド,ジョン·アダム; ドーヴァースパイク,キャスリーン·マリー; コン,フア-シュアン; バーグマン,マイケル·ジョン; エマーソン,デーヴィッド·トッド |
发表日期 | 2005-09-22 |
专利号 | JP2005528809A |
著作权人 | クリー インコーポレイテッド |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 非ドープ·クラッディング層及びマルチ量子ウェルを有するIII族窒化物LED |
英文摘要 | 【解決手段】本発明は、AlxInyGa1-x-yNの第1n型クラッディング層であって、0≦x≦1、0≦yxInyGa1-x-yNの第2n型クラッディング層であって、0≦xxGa1-xNウェル層を有し、0xInyGa1-x-yNバリア層によって分離されており、0≦x≦1及び0≦y≦1であるマルチ量子ウェルの形態のアクティブ部と、III族窒化物のp型層であって、第2n型クラッディング層がこのP型層とマルチ量子ウェルとの間に位置する、p型層とを含み、第1及び第2n型クラッディング層のそれぞれのバンドギャップは、各々、ウェル層のバンドギャップよりも大きい。好適な実施形態では、III族窒化物超格子がマルチ量子ウェルを支持する。 |
公开日期 | 2005-09-22 |
申请日期 | 2003-05-20 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67160] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | クリー インコーポレイテッド |
推荐引用方式 GB/T 7714 | エドモンド,ジョン·アダム,ドーヴァースパイク,キャスリーン·マリー,コン,フア-シュアン,等. 非ドープ·クラッディング層及びマルチ量子ウェルを有するIII族窒化物LED. JP2005528809A. 2005-09-22. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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