結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治 |
| 发表日期 | 2000-05-12 |
| 专利号 | JP2000133599A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 DFBレーザーやDBRレーザ等のグレーティングを有する半導体レーザーにおいて、InP基板上におけるグレーティングの凹部分に、格子接合する結晶の成長方法を提供する。 【解決手段】 有機金属気相結晶成長法(MOVPE法)を利用した装置を使用して、InP基板上の結晶成長を開始させる昇温中もしくは昇温してから微量の、アルシンとフォスフィンとTEGを流してInGaAsPを成長させる事により、グレーティング形状を保存し、かつグレーティングの凹部分に格子接合する結晶成長をさせることができる。 |
| 公开日期 | 2000-05-12 |
| 申请日期 | 1998-10-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67161]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治. 結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法. JP2000133599A. 2000-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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