短波長発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 倉又 朗人; 山崎 進; 篠原 宏爾; 堀野 和彦; 菅原 充 |
| 发表日期 | 1995-05-19 |
| 专利号 | JP1995131118A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 短波長発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 III-V族半導体を基板材料や電極コンタクト材料とするII-VI族化合物半導体系短波長半導体レーザに関し、電極部分での電圧降下を小さくし、活性層、ガイド層とクラッド層とのバンドギャップ差を大きくして閉じ込めを良くすること。 【構成】活性層46を挟むCdx Zn1-x Sy Se1-y 四元混晶からなるガイド層45,47と、Mg x'Zn1-x'S y'Se1-y' 四元混晶からなり、かつ前記ガイド層45,47の上下面のうちの前記活性層46と反対側の面上に形成されるクラッド層44,48と、前記クラッド層44,48の上下面のうちの前記ガイド層45,47と反対側の面上に形成され、かつ、エネルギーバンドギャップが前記活性層46から遠ざかるにつれて段階的又は連続的に小さくなるヘテロバリア緩和層50と、前記ヘテロバリア緩和層50に直接又はIII-V族半導体層51を介して接続される電極54とを含む。 |
| 公开日期 | 1995-05-19 |
| 申请日期 | 1993-11-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67169]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉又 朗人,山崎 進,篠原 宏爾,等. 短波長発光素子. JP1995131118A. 1995-05-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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