気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置
文献类型：专利
| 作者 | 角野 雅芳 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223418A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 高品質で量産性に優れたAlGaN基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 c面サファイア基板301上に、減圧ハイドライドVPE法により4μm/h以下の成長速度で薄いGaN層302を成長させた後、このGaN層302上に常圧ハイドライドVPE法により4μm/hよりも大きく且つ200μm/h以下の成長速度で十分に厚いAlGaN層304を成長させる。次に、c面サファイア基板1をエッチングにより除去し、GaN層302、AlGaN層303、304からなるAlGaN基板を得る。 【効果】 減圧ハイドライドVPE法により、成長速度が小さくなり且つIII族原料分子の表面マイグレ-ションが促進され、良好な品質の結晶が得られる。更に、連続して常圧ハイドライドVPE法を行うことにより、大きな成長速度でGaNおよびAlGaNを成長させるため高品質で量産性に優れたAlGaN基板が得られる。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67175]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角野 雅芳. 気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置. JP2000223418A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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