半導体デバイスの作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 大礒 義孝; 伊賀 龍三; 天野 主税 |
| 发表日期 | 2001-01-19 |
| 专利号 | JP2001015394A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体デバイスの作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体基板に直接、格子不整合の半導体エピタキシャル層を成長させることなく、デバイス作製における半導体の必須の高温プロセスは、半導体層を貼り合わせる前に行い、その後、格子不整合の貼り合わせを行って、貼り合わせ界面の結晶劣化のない高品質の結晶を有する高性能の半導体デバイスを歩留まり良く容易に作製する方法を提供する。 【解決手段】半導体基板上に格子定数の異なる半導体素子を貼り合わせてデバイスを作製する方法であって、第1の半導体基板上に半導体素子を形成し、半導体素子の平坦化されていない面を充填剤を介して平坦な基板上に貼り付けた後、第1の半導体基板を除去して、半導体素子の第1の半導体基板が除去された平坦な半導体層を、第2の半導体基板上の半導体層の表面に貼り付け、その後、平坦な基板と充填剤を除去することにより、半導体デバイスを作製する。 |
| 公开日期 | 2001-01-19 |
| 申请日期 | 1999-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67180]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大礒 義孝,伊賀 龍三,天野 主税. 半導体デバイスの作製方法. JP2001015394A. 2001-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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