多層エピタキシャル結晶構造
文献类型：专利
| 作者 | 荒巻 聡; 中村 正志 |
| 发表日期 | 1993-07-13 |
| 专利号 | JP1993175548A |
| 著作权人 | NIKKO KYODO CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多層エピタキシャル結晶構造 |
| 英文摘要 | 【構成】 異なる特性の2以上のp型半導体層を有するIII-V族化合物半導体混晶からなる多層膜を形成する場合において、MOCVD法を使用して多層エピタキシャル結晶の成長を行なうとともに、高濃度もしくはキャリア濃度分布の急峻性が必要なp型半導体層には不純物としてマグネシウムを用い、キャリア濃度の精度が必要なp型半導体層には不純物として亜鉛を用いるようにして、不純物を使い分けるようにした。 【効果】 マグネシウムは半導体層中に高濃度にドーピングすることができるとともに濃度曲線が急峻であり、また亜鉛はキャリア濃度の制御性が良いので、発光ダイオード等の光半導体デバイスの基板に最適な結晶構造が得られ、デバイスの特性および生産性を向上させることができる。 |
| 公开日期 | 1993-07-13 |
| 申请日期 | 1991-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67182]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIKKO KYODO CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒巻 聡,中村 正志. 多層エピタキシャル結晶構造. JP1993175548A. 1993-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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