半導体多層構造
文献类型：专利
| 作者 | 土屋 朋信; 谷渡 剛; 河野 敏弘 |
| 发表日期 | 1994-03-25 |
| 专利号 | JP1994085387A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体多層構造 |
| 英文摘要 | 【目的】歪層を有する半導体レーザに於いて、劈開時での不良を低減する。 【構成】活性層の平均的歪量がプラス歪の場合には、ガイド層もしくは、ガイド層の活性層近傍のみをマイナス歪にし、活性層がマイナス歪の場合には、ガイド層もしくは、ガイド層の活性層近傍のみをプラス歪とし、歪層の膜厚を臨界膜厚以下とする。 【効果】ガイド層、もしくはガイド層の活性層近傍を活性層とは逆方向の歪を加えることにより、界面での応力を緩和し、劈開面での段差等の不良を減少することができる。 |
| 公开日期 | 1994-03-25 |
| 申请日期 | 1992-09-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67199]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土屋 朋信,谷渡 剛,河野 敏弘. 半導体多層構造. JP1994085387A. 1994-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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