フレア構造半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 玉貫 岳正; 北村 光弘 |
| 发表日期 | 1996-01-23 |
| 专利号 | JP1996023133A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | フレア構造半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 ワットクラスの高出力レベルまで安定に横基本モードで動作し、しかも製造の歩留まりが高く、特性再現性の良好なフレア構造半導体レーザを提供する。 【構成】 フレア構造半導体レーザにおいて、横モードの制御構造としてリッジ導波構造を採用するとともに、その外側領域で活性層をとぎらせる、ないし全て除去した放射モード抑制領域30を形成した。 |
| 公开日期 | 1996-01-23 |
| 申请日期 | 1994-07-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67203]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉貫 岳正,北村 光弘. フレア構造半導体レーザ. JP1996023133A. 1996-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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