Blue edge emitting laser
文献类型:专利
作者 | FLOYD, PHILIP D.; HOFSTETTER, DANIEL |
发表日期 | 1999-11-10 |
专利号 | EP0955709A2 |
著作权人 | XEROX CORPORATION |
国家 | 欧洲专利局 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | Blue edge emitting laser |
英文摘要 | An independently addressable, edge emitting semiconductor laser (200) emitting light in the blue wavelength range of 390 to 430 nanometers comprises a gallium nitride-based laser structure grown by selective area epitaxy and lateral mask overgrowth. By appropriate patterning of a dielectric mask (206) on the gallium nitride layer (204) on a sapphire substrate (202), areas in a second gallium nitride layer (210) can have a low defect density upon which the remainder of the laser structure (218-230) can be formed. |
公开日期 | 1999-11-10 |
申请日期 | 1999-04-28 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67205] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | XEROX CORPORATION |
推荐引用方式 GB/T 7714 | FLOYD, PHILIP D.,HOFSTETTER, DANIEL. Blue edge emitting laser. EP0955709A2. 1999-11-10. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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