II-VI族化合物半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 竹春 |
| 发表日期 | 1997-10-14 |
| 专利号 | JP1997270564A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Si基板上に高品質なII-VI族化合物半導体を成長させる製造方法を提供する。 【解決手段】 Si基板上にII-VI族化合物半導体を成長させる前のSi基板熱処理時にAsH3 を導入する。AsH3 の流量は5μmol/min以上360μmol/min以下とする。本発明を発光ダイオードの製造に適用した場合は、Si基板11の熱処理時にAsH3 を、例えば23μmol/min導入する。その後、n型ZnSeクラッド層12、ZnCdSe活性層13、p型ZnSeクラッド層14を順次成長させる。更に、成長層の1部分をn型ZnSeクラッド層12の途中まで選択的にエッチングし、n型半導体側の電極15として例えばInを蒸着する。また、p型ZnSeクラッド層14にはp型半導体側の電極16として例えばAuを蒸着する。 |
| 公开日期 | 1997-10-14 |
| 申请日期 | 1996-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67210]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 竹春. II-VI族化合物半導体の製造方法. JP1997270564A. 1997-10-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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