外部変調器付き集積化光源
文献类型:专利
作者 | 脇田 紘一; 佐藤 憲史 |
发表日期 | 1995-04-21 |
专利号 | JP1995106690A |
著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 外部変調器付き集積化光源 |
英文摘要 | 【目的】 高速大容量光通信及び光計測における光源として好適な外部変調器付き集積化光源において、変調器の吸収係数が光の伝搬方向に沿って一定であるために生じる問題を解消し、半導体レーザと変調器の結合部分での光の集中を避け、過度の電子·正孔対の生成を減らして、変調特性を有利となるようにすることを目的とする。 【構成】 内部に回折格子2を有する半導体レーザ1と、半導体レーザ1と同一の基板上に形成され半導体レーザ1の出射光を強度変調する変調器3とを有する集積化光源において、変調器3の吸収層6の吸収係数が、半導体レーザ側から出射側に向かって、光の導波方向に沿って次第に増加すること、更には、半導体レーザ1のコアは下から導波層7、エッチストップ層9、活性層4からなり、変調器のコアは少なくとも吸収層6を含むものである。 |
公开日期 | 1995-04-21 |
申请日期 | 1993-10-05 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67216] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 脇田 紘一,佐藤 憲史. 外部変調器付き集積化光源. JP1995106690A. 1995-04-21. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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