発光素子用エピタキシャルウエハ及び発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 冨岡 弘幸 |
| 发表日期 | 2008-06-19 |
| 专利号 | JP2008140906A |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子用エピタキシャルウエハ及び発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】高温でのIop(動作電流)が低く、かつ長時間一定に保たれた、信頼性の高い発光素子チップを多く取ることができる発光素子用エピタキシャルウエハ及び発光素子を提供することにある。 【解決手段】基板上に、III族原料ガス、V族原料ガス、ドーピング原料をキャリアガスに含有させて供給し、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層を含むエピタキシャル層を成長させた発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記n型クラッド層中の炭素濃度が0×1016atoms/cm3以下であるものである。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2008-06-19 |
| 申请日期 | 2006-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67218]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨岡 弘幸. 発光素子用エピタキシャルウエハ及び発光素子. JP2008140906A. 2008-06-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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