半導体レ—ザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ジョン·レニー; 笹沼 克信 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000196188A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】寿命の長い窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を実現すること。 【解決手段】出射端面部が他の部分よりも低いInGaNMQW活性層5MQWを形成し、このような段差を持った活性層5上にp型GaN光ガイド層6、p型AlGaNクラッド層7を堆積する。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67219]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジョン·レニー,笹沼 克信. 半導体レ—ザ素子およびその製造方法. JP2000196188A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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