半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堂免 恵; 倉又 朗人; 窪田 晋一; 副島 玲子 |
| 发表日期 | 1999-12-10 |
| 专利号 | JP1999340580A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。 【解決手段】 活性層4を厚さが3nm以上の単一の利得層で構成すると共に、活性層4とクラッド層2,6との間に光ガイド層3,5を設ける。 |
| 公开日期 | 1999-12-10 |
| 申请日期 | 1998-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67223]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堂免 恵,倉又 朗人,窪田 晋一,等. 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法. JP1999340580A. 1999-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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