半導体光素子特性評価装置
文献类型:专利
作者 | 曲 克明; 須崎 泰正; 小川 育生; 伊藤 敏夫; 石原 昇 |
发表日期 | 2002-02-20 |
专利号 | JP2002055022A |
著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体光素子特性評価装置 |
英文摘要 | 【課題】 半導体光増幅器の評価測定の効率向上を図る。 【解決手段】 一端に光ファイバ45a〜45dが接続された平面型光導波路44a〜44dの他端を、評価対象である半導体光増幅器1の導波路6、7と接続して光結合回路41a、41bを構成し、半導体光増幅器1に光を通して光パワーメータ30により測定することによって半導体光増幅器1の評価を行う。 |
公开日期 | 2002-02-20 |
申请日期 | 2000-08-08 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67226] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曲 克明,須崎 泰正,小川 育生,等. 半導体光素子特性評価装置. JP2002055022A. 2002-02-20. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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