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半導体光素子特性評価装置

文献类型:专利

作者曲 克明; 須崎 泰正; 小川 育生; 伊藤 敏夫; 石原 昇
发表日期2002-02-20
专利号JP2002055022A
著作权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光素子特性評価装置
英文摘要【課題】 半導体光増幅器の評価測定の効率向上を図る。 【解決手段】 一端に光ファイバ45a〜45dが接続された平面型光導波路44a〜44dの他端を、評価対象である半導体光増幅器1の導波路6、7と接続して光結合回路41a、41bを構成し、半導体光増幅器1に光を通して光パワーメータ30により測定することによって半導体光増幅器1の評価を行う。
公开日期2002-02-20
申请日期2000-08-08
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67226]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
曲 克明,須崎 泰正,小川 育生,等. 半導体光素子特性評価装置. JP2002055022A. 2002-02-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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