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半導体光電素子

文献类型:专利

作者李 成 男; 河 鏡 虎; 司 空 坦
发表日期2004-05-13
专利号JP2004140370A
著作权人SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光電素子
英文摘要【課題】 高効率の半導体光電素子を提供する。 【解決手段】 活性層と、活性層上下に設けられる上部及び下部ウェーブガイド層と、前記活性層及びウェーブガイド層によるサンドウィッチの上下に設けられる上部及び下部クラッド層と、前記積層を支持する基板を具備し、 前記活性層及びこの上下の各ウェーブガイド層間に、各々に対応するウェーブガイド層に比べてエネルギーギャップが小さく、活性層に比べてはエネルギーギャップが大きい光制限層が設けられている半導体光電素子。これにより、モード漏れの減少及び抑制が可能であり、かつ光制限ファクターが増加する。 【選択図】 図2
公开日期2004-05-13
申请日期2003-10-16
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67233]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
李 成 男,河 鏡 虎,司 空 坦. 半導体光電素子. JP2004140370A. 2004-05-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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