半導体結晶性膜の成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 砂川 晴夫 |
| 发表日期 | 1997-11-28 |
| 专利号 | JP1997306848A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体結晶性膜の成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体基板上に、窒素系III -V族半導体膜を純度高く高品質の結晶として形成しうるようにする。 【構成】 窒素を含まないIII -V族化合物半導体半導体基板101の側面103、裏面104をSiO2等からなるマスク105により被覆し〔(b)図〕、ハイドライドVPE法等により、基板の表面に比較的低温にて、GaN等からなる第1の結晶成長膜106を形成する〔(c)図〕。続いて、良好な結晶性が得られる高温においてエピタキシャル成長を行い、GaN等からなる第2の結晶成長膜107を形成する〔(d)図〕。 【効果】 半導体基板表面の結晶成長面以外の表面をマスクで被覆したことにより、結晶成長時の基板材料の蒸発が抑えられ、純度の高い結晶層が得られる。 |
| 公开日期 | 1997-11-28 |
| 申请日期 | 1996-05-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67258]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 砂川 晴夫. 半導体結晶性膜の成長方法. JP1997306848A. 1997-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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