リッジ型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高木 和久 |
| 发表日期 | 1999-09-07 |
| 专利号 | JP1999243248A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光通信、光ディスク装置等に使用するリッジ型半導体レーザに関し、注入電流を大きくした場合でも電流阻止機能が低下せず、発光強度の低下を招かない電流狭窄層を備えたリッジ型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 レーザ光強度が、活性層中央でのレーザ光強度の1/e以下とクラッド層内に、高抵抗の電流狭窄層を、リッジ部下部領域を挟んで対称に配置する。 |
| 公开日期 | 1999-09-07 |
| 申请日期 | 1998-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67281]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高木 和久. リッジ型半導体レーザ及びその製造方法. JP1999243248A. 1999-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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