III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 忠朗; 今藤 修; 石田 昌宏; 杉野 隆 |
| 发表日期 | 1997-09-22 |
| 专利号 | JP1997249499A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光デバイス、電子デバイス等に用いる高品位の立方晶III族窒化物半導体をエピタキシャル成長することを目的とする。 【解決手段】 Si基板1上にCVD法により立方晶SiC層2を形成し、その上にMOCVD法によりGaNバッファ膜3を堆積する。このGaNバッファ膜3上に、NH3とTMGaを原料ガスとしたMOCVD法により、基板温度800℃で立方晶GaN結晶4を成長させる。この時、堆積したGaNバッファ膜3中の原子は立方晶SiC基板の原子配列に従い再配列し、GaNバッファ膜3は立方晶に変化する。これにより、SiC層2の立方晶の結晶構造を最上層の立方晶GaN結晶に引き継ぐことができる。 |
| 公开日期 | 1997-09-22 |
| 申请日期 | 1996-03-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67284]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 忠朗,今藤 修,石田 昌宏,等. III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法. JP1997249499A. 1997-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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