導電パスを有する光素子
文献类型:专利
作者 | ズイーグルン·シユナイダー; ゲルハルト·ザイボルト; アントーン·アンブロージイ |
发表日期 | 1998-10-09 |
专利号 | JP1998270796A |
著作权人 | ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D’ELECTRICITE |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 導電パスを有する光素子 |
英文摘要 | 【課題】 電気的ロスが少ない導電パスを有する光素子を提供する。 【解決手段】 導電パス(ELB)は、光ウェーブガイド(OWL)の表面(WOF)上に設けられる。これにより、導電パス(ELB)の絶縁が改善され、さらに基板の表面の利用度が良好になる。好ましくは、傾斜状の凹部(RA)に配置された導電パス(ELB)は、基板表面(SOF)から上方に、光ウェーブガイド(OWL)の表面(WOF)まで通される。本発明は、コプレナ電気ウェーブガイドを形成するために結合された数個の導電パスが狭いスペースに配置されたレーザバーに接近する場所で特に有利に利用される。 |
公开日期 | 1998-10-09 |
申请日期 | 1997-12-18 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67289] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D’ELECTRICITE |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ズイーグルン·シユナイダー,ゲルハルト·ザイボルト,アントーン·アンブロージイ. 導電パスを有する光素子. JP1998270796A. 1998-10-09. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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