半導体装置,及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 梶川 靖友 |
| 发表日期 | 1997-05-27 |
| 专利号 | JP1997139552A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置,及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 歪みが大きく、膜厚の厚い歪み層を備えた、特性劣化のない半導体装置,及びその製造方法を得る。 【解決手段】 p-HEMTの電子走行層である厚さ12nmのアンドープIn0.32Ga0.68As歪み層3を、(001)面から最近接(111)面の方向へ60度傾いた結晶面を主面とする半絶縁性GaAs基板1上にエピタキシャル成長させる。この際、νをポアソン比、αを歪み層3の転位のバーガースベクトルと転位線とのなす角、λを、上記バーガースベクトルと、半導体基体101と上記歪み層3との界面内にあって上記転位線に垂直な方向とのなす角として、(1-νcos2 α)/cos λ>2(1-ν/4)が成り立っており、(001)面を主面とする基板上に成長した場合には格子不整転位が発生する上記歪み層3が、格子不整転位の発生なしに形成される。 |
| 公开日期 | 1997-05-27 |
| 申请日期 | 1996-06-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67293]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梶川 靖友. 半導体装置,及びその製造方法. JP1997139552A. 1997-05-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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