II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岸野 克巳; 野村 一郎; 山口 恭司; 田才 邦彦; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子 |
| 发表日期 | 2010-03-11 |
| 专利号 | JP2010056119A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】電気伝導度の大きなp型クラッド層を備えたII-VI族化合物半導体素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】上部クラッド層16内の超格子構造において交互に積層された上部クラッド層16A(MgSe層)および第2上部クラッド層16B(BeZnTe層)の間に、中間層16C,16D(ZnSe層またはZnTe層)が配置されている。さらに、中間層16C,16D(ZnSe層)のうち第2上部クラッド層16B(BeZnTe層)との界面にZn原子が配置されている。これにより、上部クラッド層16を形成するに際して、特定的に反応性の高いBeとSeとが互いに接することがない。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2010-03-11 |
| 申请日期 | 2008-08-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67302]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野 克巳,野村 一郎,山口 恭司,等. II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法. JP2010056119A. 2010-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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